СТРУКТУРНЫЕ ОСЕБЕННОСТИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ (0≤x≤0,17; 0≤y≤0,14)

Abstract

Исследования показывают, что свойства легированных пленок сильно зависят от их толщины, размера блоков и зерен, а также от сегрегационной способности легирующих примесей. Кроме того, к настоящему времени нет единого мнения о роли подложки в формировании наращиваемых пленок [1]. В связи с этим, целью данной работы является изучение структурной особенности эпитаксиальных пленок твердых растворов (GaAs)_0,69(Ge₂)_0,17(ZnSe)_0,14 атомно-силовой микроскопией и рентгеновской дифракцией.