ВЫРАЩИВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ  (Si2)1-x(ZnS)x ИЗ  ОЛОВЯННОГО РАСТВОРА-РАСПЛАВА

А.Ш.Раззоков Ургенческий Государственный Университет, г.Ургенч, ул.Х.Алимджана14, Узбекистан; Н.Р.Янгибоев

Authors

А.Ш.Раззоков Ургенческий Государственный Университет, г.Ургенч, ул.Х.Алимджана14, Узбекистан Ургенческий Государственный Университет, г.Ургенч, ул.Х.Алимджана14, Узбекистан
Н.Р.Янгибоев Студент магистратура, физика полупроводников.Ургенческий Государственный Университет

Abstract

В настоящее время полупроводниковые эпитаксиальные пленки ZnS привлекли к себе большое внимание в области оптоэлектроники, из-за самого высокого значения ширины запрещенной зоны среди бинарных полупроводников и их превосходные люминесцентные свойства от ультрафиолета до ближнего инфракрасного диапазона. А также, все процессоры в компьютерах и другие интегральные схемы изготавливаются на основе кремния, процессоры совершенствовались, возросло быстродействие до предельной возможности, повысилась надёжность. Для увеличения быстродействия процессоров, диодов и транзисторов придется перейти на более широкозонный полупроводник, такой как GaAs, GaP, ZnS.

References

. А.С.Саидов, А.Ш.Раззоков. Получение новых варизонных полупроводниковых твердых растворов из жидкой фазы. (LAMBERT Academic Publishing, Мавритания, Монография. 2020), стр.47.

. МилнсА., ФойхтД. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник .(Москва: Мир, 1975).

. Казакова А.Е. Исследование твердых растворов AlInGaPAs, выращенных на подложках арсенида галлия и фосфида индия в поле температурного градиента,автореф. канд. дис. (Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, Новочеркасск, 2018).